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Datasheet IXFN23N100 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | IXFN23N100 | (IXFN23N100 / IXFN24N100) HiPerFET-TM Power MOSFET HiPerFETTM Power MOSFET
Single MOSFET Die
Preliminary data sheet
VDSS
ID25
RDS(on) 0.39 Ω 0.43 Ω
IXFN 24N100 1000 V 24 A IXFN 23N100 1000 V 23 A têê ≤ 250 ns
Symbol Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ Continuous Transient TC = 25° |
 IXYS Corporation |
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IXFN23N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| IXFN23N100 | (IXFN23N100 / IXFN24N100) HiPerFET-TM Power MOSFET |
IXYS Corporation |
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| Esta página es del resultado de búsqueda del IXFN23N100. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXFN23N100 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
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[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
 Sanken |
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