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PDF 2SD1336 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SD1336
Descripción Power Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor　
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SD1336 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
www.DataSheet4U.com
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD1336
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min)
·High DC Current Gain
: hFE= 1500(Min) @ IC= 5A, VCE= 4V
·High Speed Switching
APPLICATIONS
·High power switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
i.cnSYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
.iscsemVCBO
Collector-Base Voltage
150 V
wwwVCEO
Collector-Emitter Voltage
100 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
8V
IC Collector Current-Continuous
6A
ICM Collector Current-Peak
Collector Power Dissipation
@ Ta=25℃
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
10 A
2
W
35
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc Website：www.iscsemi.cn

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SD1330Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
2SD1336Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1338Silicon NPN TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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