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PDF 2SD960 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SD960
Descripción Silicon NPN Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor　
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SD960 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD960
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.5V(Max) @IC= 3A
·Complement to Type 2SB868
APPLICATIONS
·Designed for power switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
ICM Collector Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
130 V
80 V
7V
4A
8A
35 W
150 ℃
-55~150
℃
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SD960Silicon NPN TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD960SI NPN TRIPLE DIFFUSED JUNCTION MESAPanasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
2SD961Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD965Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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