Datasheet TMAN10N80 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	TMAN10N80	N-channel MOSFET Features  Low gate charge  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  JEDEC Qualification TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax ID = 10A RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V D G Device TMAN10N80 Package TO-3P Marking TMAN10N80 Absolute Maximum Ratings Parameter Dra	TRinno

TMAN10 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
TMAN10N80	N-channel MOSFET Features  Low gate charge  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  JEDEC Qualification TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax ID = 10A RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V D G Device TMAN10N80 Package TO-3P Marking TMAN10N80 Absolute Maximum Rat	TRinno

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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