Datasheet SIA461DJ Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	SIA461DJ	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET New Product SiA461DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () Max. 0.033 at VGS = - 4.5 V - 20 0.042 at VGS = - 2.5 V 0.055 at VGS = - 1.8 V ID (A)a Qg (Typ.) - 12 - 12 - 12 18 nC • TrenchFET® Power MOSFET • Thermally Enhanced PowerPAK® SC-	Vishay

SIA46 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SIA467EDJ	P-Channel MOSFET New Product SiA467EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 12 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () (Max.) 0.0130 at VGS = - 4.5 V - 12 0.0145 at VGS = - 3.7 V 0.0195 at VGS = - 2.5 V 0.0400 at VGS = - 1.8 V ID (A)a - 31 - 30 - 26 -7 29 nC Qg (Typ.) FEATUR	Vishay
SIA468DJ	MOSFET ( Transistor ) www.vishay.com SiA468DJ Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) 30 RDS(on) () (MAX.) 0.0084 at VGS = 10 V 0.0114 at VGS = 4.5 V ID (A) a 37.8 32.5 Qg (TYP.) 8.2 nC PowerPAK® SC-70-6L Single D D6 S5 4 2.05 mm 1 2.05 mm Top View S 72 3D G	Vishay
SIA461DJ	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET New Product SiA461DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () Max. 0.033 at VGS = - 4.5 V - 20 0.042 at VGS = - 2.5 V 0.055 at VGS = - 1.8 V ID (A)a Qg (Typ.) - 12 - 12 - 12 18 nC • TrenchFET® Power MOSFET • Thermally Enh	Vishay

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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