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Datasheet SSH8N90A Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | SSH8N90A | Advanced Power MOSFET Advanced Power MOSFET
SSH8N90A
FEATURES
Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µA (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 Ω (Typ.)
Absolute Maximum Ratings
Symbol VDSS
ID
IDM |
Fairchild Semiconductor |
SSH8N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SSH8N80 | N-Channel Power MOSFET / Transistor |
Samsung |
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SSH8N90A | Advanced Power MOSFET |
Fairchild Semiconductor |
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SSH8N80A | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Fairchild Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del SSH8N90A. Si pulsa el resultado de búsqueda de SSH8N90A se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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