Datasheet RQJ0303PGDQA Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RQJ0303PGDQA	P-Channel MOSFET ( Transistor ) Preliminary Datasheet RQJ0303PGDQA Silicon P Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 54 mΩ typ (VGS = –10 V, ID = –1.6 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive R07DS0295EJ0600 Rev.6.00 Jan 10, 2014 Outline RENESAS Package code: PL	Renesas

RQJ0303PG Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RQJ0303PGDQA	P-Channel MOSFET ( Transistor ) Preliminary Datasheet RQJ0303PGDQA Silicon P Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 54 mΩ typ (VGS = –10 V, ID = –1.6 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive R07DS0295EJ0600 Rev.6.00 Jan 10, 2014 Outline RENE	Renesas

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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