|
|
Datasheet MTE1K0P25J3 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | MTE1K0P25J3 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C091J3 Issued Date : 2015.10.13 Revised Date : Page No. : 1/9
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE1K0P25J3 BVDSS ID@VGS=-10V, TC=25°C
RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-3A
-250V -3.2A 1.0Ω(typ)
Features
• Low Gate Charge • Simple Drive Requirement • Pb-fre |
Cystech Electonics |
MTE1K0P2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
MTE1K0P25J3 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Cystech Electonics |
Esta página es del resultado de búsqueda del MTE1K0P25J3. Si pulsa el resultado de búsqueda de MTE1K0P25J3 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |