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Datasheet MIP2E3DMY Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | MIP2E3DMY | Silicon MOS type integrated circuit (IPD)
MIP2E3DMY
MOS
I
2.8±0.2 1.5±0.2
Unit : mm
10.5±0.5 9.5±0.2 8.0±0.2
6.7±0.3
• •
4.5±0.2 1.4±0.1
I
15.4±0.3
φ 3.7±0.2
I
Ta = 25°C ± 3°C
13.5±0.5 4.2±0.3 Solder Dip
1.4±0.1
(9.3)
2.5±0.2 0.6 +0.1 –0.2
0.8±0.1
VD VC ID IDP IC Tch Tstg
700 10 1.15 1.60 0.1 150 |
Panasonic |
MIP2E3 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
MIP2E3D | High-Performance IPD for Battery Chaegers |
Matsushita |
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MIP2E3DMY | Silicon MOS type integrated circuit |
Panasonic |
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MIP2E3DMS | Silicon MOS-type integrated circuit |
Panasonic |
Esta página es del resultado de búsqueda del MIP2E3DMY. Si pulsa el resultado de búsqueda de MIP2E3DMY se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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