Datasheet MIP2E1D Equivalent ( PDF )

I (MIP022X) IPD I G( 12 V, 3 A : 100 VAC 0.3 W : 100 VAC G IPD (MIP022X) MIP022X G IPD IPD PWM 60 W : 1, 20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 264 VAC ; 130 mW ; 60 IPD I MIP2E1D MIP2E2D MIP2E3D MIP2E4D MIP2E5D MIP2E7D ∼7W ∼ 10 W 10 W ∼ 20 W 15 W ∼ 30 W 20 W ∼ 40 W 40 W ∼ 60 W VDSS 700 V MOS FET ILIMIT fOSC 0.4 A 0.5 A 1.0 A 1.5 A TO-220-A1, DIP8-A1(CF) 100 kHz 2.0

(IPD) MIP2E1DMC ( MOS I ) Unit : mm (1.4) 10.5±0.3 4.6±0.2 1.4±0.1 3.0±0.5 0 to 0.5 1.4±0.1 0.8±0.1 2.54±0.3 2.5±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700 10 0.43 0.61 0.1 150 55 ∼ +150 V V A A A °C °C 0 to 0.3 (10.2) (8.9) 1 2 3 1 : Control 2 : Source 3 : Drain (2.1) (6.4) (1.4) TO-220C-G1 Package : MIP2E1DMC http:, , , I Control 1 3 Drain S R Q Q MO

インテリジェントパワ デバイス (IPD) MIP2E1DMS シリコン MOS 形集積回路 特　長 負荷時の消費電力を大幅に削減 各種保護回路機能 によりリアルタイムの保護が可能 用　途 スイッチング電源制御用 絶 最大定格 Ta = 25°C±3°C 項目 ドレイン電 コントロ ル電 出力電流 出力ピ ク電流 コントロ ル電

MIP2E1DMU MOS (IPD) - - - Ta = 25°C ± 3°C VD 700 VC 10 ID 0.43 IDP 0.61 IC 0.1 Tch 150 Tstg 55 ∼ +150 V V A A A °C °C - U-G4 1: Control 2: Source 3: Drain - : MIP2E1D - Control 1 Max Duty Clock Sawtooth SQ RQ SQ V-I R Q : 2010 3 SLB00036BJD 3 Drain MOSFET 2 Source 1 MIP2E1DMU - TC = 25°C ± 2°C PWM , ) *: * * fOSC MAXDC GPWM m VC = VC(CNT) 0.2 V VC = VC(CNT)