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Datasheet MIP2E1D Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 4 | MIP2E1D | High-Performance IPD for Battery Chaegers I
(MIP022X)
IPD
I
G(
12 V/3 A
: 100 VAC
0.3 W
: 100 VAC
G IPD
(MIP022X)
MIP022X
G
IPD
IPD PWM
60 W
: 1/20)
; 70 mW, ; 70 ,
264 VAC 264 VAC
; 130 mW ; 60
IPD
I
MIP2E1D MIP2E2D MIP2E3D MIP2E4D MIP2E5D MIP2E7D
∼7W ∼ 10 W 10 W ∼ 20 W 15 W ∼ 30 W 20 W ∼ 40 W 40 W ∼ 60 W
|
 Matsushita |
 |
| 3 | MIP2E1DMC | Silicon MOS type integrated circuit (IPD)
MIP2E1DMC (
MOS
I
• •
)
Unit : mm
(1.4)
10.5±0.3 4.6±0.2 1.4±0.1
3.0±0.5 0 to 0.5
1.4±0.1 0.8±0.1 2.54±0.3 2.5±0.2
I
Ta = 25°C ± 3°C
VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700 10 0.43 0.61 0.1 150 −55 ∼ +150 V V A A A °C °C
0 to 0.3
(10.2) (8.9) 1 2 3
1 : Control 2 : Source 3 : |
 Panasonic |
|
| 2 | MIP2E1DMS | Silicon MOS-type integrated circuit インテリジェントパワーデバイス (IPD)
MIP2E1DMS
シリコン MOS 形集積回路
特 長 軽負荷時の消費電力を大幅に削減 各種保護回路機能内蔵によりリアルタイムの保護が可能
用 途 スイッチング電源制御用
� |
Panasonic |
|
| 1 | MIP2E1DMU | Silicon MOS-type integrated circuit MIP2E1DMU
MOS
(IPD)
■ • •
■ •
■ Ta = 25°C ± 3°C
VD 700 VC 10 ID 0.43 IDP 0.61 IC 0.1 Tch 150 Tstg −55 ∼ +150
V V A A A °C °C
■ •
U-G4 •
1: Control 2: Source 3: Drain
■
: MIP2E1D
■
Control 1
Max Duty Clock
Sawtooth
SQ RQ
SQ V-I R Q
: 2010 3
SLB00036BJD
3 Dra |
Panasonic |
|
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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