Datasheet IXFN80N50P Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IXFN80N50P	PolarHV HiPerFET Power MOSFET Advance Technical Information IXFN 80N50P PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFN 80N50P VDSS ID25 trr RDS(on) = 500 V = 65 A ≤ 65 mΩ ≤ 200 ns Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM T	IXYS

IXFN80N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IXFN80N50Q2	HiPerFET Power MOSFET Advance Technical Information HiPerFETTM Power MOSFET IXFN 80N50Q2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr VDSS = 500 V ID25 = 80 A RDS(on)= 60 mΩ ≤ 250 ns trr miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 Symbol	IXYS
IXFN80N60P3	Polar3 HiPerFET Power MOSFET Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM Power MOSFET IXFN80N60P3 VDSS ID25 RDS(on) trr N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier = = ≤ ≤ 600V 66A 70mΩ 250ns miniBLOC E153432 S G Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg VISOL	IXYS Corporation
IXFN80N50Q3	Power MOSFET ( Transistor ) Advance Technical Information HiperFETTM Power MOSFET Q3-Class N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier IXFN80N50Q3 VDSS ID25 RDS(on) trr = = ≤ ≤ 500V 63A 65mΩ 250ns miniBLOC E153432 Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg VISOL Md W	IXYS Corporation

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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