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Datasheet IXFN36N110P Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IXFN36N110P | Polar Power MOSFET HiPerFET PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IAR EAS dV/dt PD TJ TJM Tstg TL VISOL Md Weight
www.DataSheet4U.net
IXFN36N110P
VDSS = ID25 = RDS(on) ≤ ≤ trr
1100V 36A 240mΩ 300ns
Test Conditions TJ = 25°C |
IXYS Corporation |
IXFN36N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IXFN36N100 | HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
ETC |
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IXFN36N110P | Polar Power MOSFET HiPerFET |
IXYS Corporation |
Esta página es del resultado de búsqueda del IXFN36N110P. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXFN36N110P se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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