Datasheet IXFH40N85X Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IXFH40N85X	Power MOSFET ( Transistor ) X-Class HiPerFETTM Power MOSFET Advance Technical Information IXFT40N85XHV IXFH40N85X VDSS = ID25 = RDS(on) 850V 40A 145m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-268HV (IXFT) Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight T	IXYS

IXFH40N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IXFH40N30	HiPerFET Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family VDSS IXFH/IXFM 35 N30 IXFH 40 N30 IXFM 40 N30 300 V 300 V 300 V ID25 RDS(on) 35 A 100 mW 40 A 85 mW 40 A 88 mW trr £ 200 ns Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR dv/dt PD TJ TJM Ts	IXYS Corporation
IXFH40N30Q	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg IXFH 40N30Q IXFT 40N30Q VDSS ID25 RDS(on) trr = 300 V = 40 A = 80 mW £ 250 ns Preliminary data sheet Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL Md We	ETC
IXFH40N50Q2	HiPerFET Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr Preliminary Data Sheet Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL Md Weight 1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s Mounting torqu	IXYS Corporation

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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