|
|
Datasheet FLL410IK-4C Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | FLL410IK-4C | L-Band High Power GaAs FET L-Band High Power GaAs FET
FEATURES ・High Output Power: Pout=46.0dBm(Typ.) ・High Gain: GL=11.5dB(Typ.) ・High PAE: ηadd=44%(Typ.) ・Broad Band: 3.4~3.7GHz ・Hermetically Sealed Package DESCRIPTION The FLL410IK-4C is a partially matched 40 Watt GaAs FET that is designed for use in 3.4 – 3.7 |
Fujitsu |
FLL410IK Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
FLL410IK-3C | L-Band High Power GaAs FET |
Eudyna Devices |
|
FLL410IK-4C | L-Band High Power GaAs FET |
Fujitsu |
Esta página es del resultado de búsqueda del FLL410IK-4C. Si pulsa el resultado de búsqueda de FLL410IK-4C se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |