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Datasheet C3M0065090D Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | C3M0065090D | Silicon Carbide Power MOSFET VDS 900 V
C3M0065090D
ID @ 25˚C
36 A
Silicon Carbide Power MOSFET TM
C3M MOSFET Technology
RDS(on) 65 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
Package
• New C3M SiC MOSFET technology • High blocking voltage with low On-resistance • High speed switching with low |
Cree |
C3M00650 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
C3M0065090D | Silicon Carbide Power MOSFET |
Cree |
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C3M0065090J | Silicon Carbide Power MOSFET |
Cree |
Esta página es del resultado de búsqueda del C3M0065090D. Si pulsa el resultado de búsqueda de C3M0065090D se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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