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Datasheet BUK9006-55A Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 BUK9006-55A   N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor

BUK9006-55A TrenchMOS™ logic level FET Rev. 01 — 1 August 2003 Preliminary data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor available as a bare die using Philips General Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS™ technology. Prod
NXP Semiconductors
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datasheet BUK9006-55A pdf

BUK9006- Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
BUK9006-55A

N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor

BUK9006-55A TrenchMOS™ logic level FET Rev. 01 — 1 August 2003 Preliminary data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor available as a bare die using Philips General Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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