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Datasheet BUK9006-55A Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | BUK9006-55A | N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor
BUK9006-55A
TrenchMOS™ logic level FET
Rev. 01 — 1 August 2003 Preliminary data
1. Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor available as a bare die using Philips General Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS™ technology. Prod |
NXP Semiconductors |
BUK9006- Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
BUK9006-55A | N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor |
NXP Semiconductors |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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