KDS3912 Datasheet PDF

SMD Type 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET KDS3912 IC IC Features 3 A, 100 V. RDS(ON) = 125m RDS(ON) = 135m Low gate charge (14 nC typical) Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability @ VGS = 10 V @ VGS = 6 V Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Drain to Source Voltage Gate to Source Voltage Drain Curr

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA KDS114V SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS. FEATURES Small Package. Small Total Capacitance : CT=1.2pF(Max.). Low Series Resistance : rS=0

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS. FEATURES Small Package. Small Total Capacitance : CT=1.2pF(Max.). Low Series Resistance : rS=0.5 (Typ.). MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHAR