|
|
PDF TK19J55D Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | TK19J55D | |
| Descripción | MOSFETs | |
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de TK19J55D (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 9 Páginas | ||
|
No Preview Available !
MOSFET シリコンNチャネルMOS形 (π-MOS)
TK19J55D
TK19J55D
1. 用途
• スイッチングレギュレータ用
2. 特長
(1) オン抵抗が低い。: RDS(ON) = 0.28 Ω (標準)
(2) 順方向伝達アドミタンスが高い。: |Yfs| = 8.5 S (標準)
(3) 漏れ電流が低い。: IDSS = 10 µA (最大) (VDS = 550 V)
(4) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです。: Vth = 2.04.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
3. 外観と内部回路構成図
1: ゲート (G)
2: ドレイン (D)
3: ソース (S)
TO-3P(N)
4. 絶対最大定格 (注) (特に指定のない限り, Ta = 25)
項目
記号
定格
単位
ドレインソース間電圧
VDSS 550 V
ゲートソース間電圧
VGSS
±30
ドレイン電流 (DC)
(注1)
ID
19 A
ドレイン電流 (パルス)
(t = 1 ms)
(注1)
IDP
76
許容損失
(Tc = 25)
PD 280 W
アバランシェエネルギー (単発)
(注2)
EAS
458 mJ
アバランシェ電流
IAR 19 A
アバランシェエネルギー (連続)
(注3)
EAR
5.0 mJ
チャネル温度
Tch 150
保存温度
Tstg -55150
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても, 高負荷 (高温および大電流/
高電圧印加, 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および
個別信頼性情報 (信頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設計をお願いします。
1 2010-07-27
Rev.1.0
1 page  
8. 特性図 (注)
TK19J55D
図 8.1 ID - VDS
図 8.2 ID - VDS
図 8.3 ID - VGS
図 8.4 VDS - VGS
図 8.5 |Yfs| - ID
図 8.6 RDS(ON) - ID
5 2010-07-27
Rev.1.0
5 Page | ||
| Páginas | Total 9 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet TK19J55D.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| TK19J55D | MOSFETs | Toshiba Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |