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PDF BSZ900N20NS3G Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BSZ900N20NS3G | |
| Descripción | Power MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
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Type
$(*'#$%TM3 Power-Transistor
Features
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BSZ900N20NS3 G
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
200 V
90 m#
15.2 A
PG-TSDSON-8
Type
BSZ900N20NS3 G
Package
Marking
PG-TSDSON-8 900N20N
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D T C=25 °C
T C=100 °C
Pulsed drain current2)
I D,pulse T C=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=7.6 A, R GS=25 #
Gate source voltage
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
1)J-STD20 and JESD22
2) see figure 3
Value
15.2
10.7
61
100
±20
62.5
-55 ... 150
55/150/56
Unit
A
mJ
V
W
°C
Rev. 2.1
page 1
2010-09-01
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
1 page  
5 Typ. output characteristics
I D=f(V DS); T j=25 °C
parameter: V GS
30
10 V
25
7V
20 5.5 V
5V
15
6V
10
4.5 V
5
BSZ900N20NS3 G
6 Typ. drain-source on resistance
R DS(on)=f(I D); T j=25 °C
parameter: V GS
160
120
80
40
5V
5.5 V
6V
8V
10 V
0
0123
VDS [V]
7 Typ. transfer characteristics
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max
parameter: T j
40
4
35
30
25
20
15
10
5
0
0
150 °C
25 °C
246
VGS [V]
Rev. 2.1
0
5 0 4 8 12
ID [A]
8 Typ. forward transconductance
g fs=f(I D); T j=25 °C
16
32
28
24
20
16
12
8
4
0
8 0 5 10 15 20 25 30
ID [A]
page 5
2010-09-01
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
5 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet BSZ900N20NS3G.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BSZ900N20NS3G | Power MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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