PDF HT6845 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	HT6845
Descripción	3.4W EMI
Fabricantes	ETC
Logotipo
Hay una vista previa y un enlace de descarga de HT6845 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 12 Páginas
No Preview Available ! HT6845 低 EMI 防削顶 D 类音频功率放大器 3.4W低EMI防削顶单声道免滤波D类音频功率放大器特点・防削顶失真功能(Anti-Clipping Function, ACF) ・优异的全带宽EMI抑制性能・免滤波器数字调制，直接驱动扬声器・高输出功率(WLCSP) 3.4 W×1ch (VDD=5.0V, RL=4Ω, THD+N=10%) 0.9 W×1ch (VDD=3.6V, RL=8Ω, THD+N=10%) ・高效率 91% (VDD=5.0V, RL=8Ω, Po=1W) 88% (VDD=3.6V, RL=8Ω, Po=600mW) 78% (VDD=3.6V, RL=8Ω, Po=100mW) ・低THD+N：0.03% (VDD=3.6V, RL=8Ω, Po=0.4W) ・卓越的“咔嗒-噼噗”(Click-Pop)噪声抑制性能・高信噪比SNR：94dB (VDD=3.6V, Av=18dB) ・低关断电流：0.1µA ・内置18dB恒定增益・过流保护功能・过热保护功能・欠压异常保护功能・无铅封装，1.45mmx1.6mm WLCSP-9和SOP-8 应用・手机，移动电话，掌上电脑PDAs ・导航仪GPS ・PMP/MP4播放器，便携式游戏机・数码相框・便携式音箱典型应用图概述 HT6845是一款低EMI的，防削顶失真的，单声道免滤波 D 类音频功率放大器，在 5V 电源， 10% THD+N，4Ω负载条件下，输出3.4W高功率，在手机终端应用中（平均功率100mW左右）维持高效率并提供AB类放大器的性能。 HT6845的最大特点是防削顶失真（ACF）输出控制功能，可检测并抑制由于输入音乐、语音信号幅度过大所引起的输出信号削顶失真（破音），也能自适应地防止在电池应用中由电源电压下降所造成的输出削顶，显著提高音质，创造非常舒适的听音享受，并保护扬声器免受过载损坏。针对不同音源应用，防削顶具有ACF-1和ACF-2两种模式，以达到最佳音效，同时芯片也提供了ACF-Off模式。 HT6845具有独有的电磁辐射（EMI）抑制技术和优异的全带宽低辐射性能，辐射水平在不加任何辅助设计时仍远在FCC Part15 Class B 标准之下，不仅避免了干扰其他敏感电路还降低了系统设计难度。 HT6845内部集成免滤波器数字调制技术，能够直接驱动扬声器，并最大程度减小脉冲输出信号的失真和噪音，在同类的移动产品应用中，其极低的失真和噪声指标位列同类最高。输出无需滤波网络，极少的外部元器件节省了系统空间和成本，是便携式应用的理想选择。此外，HT6845内置的关断功能使待机电流最小化，还集成了输出端过流保护、片内过温保护和电源欠压异常保护等功能。差分输入 RCTRL1 CTRL1 www.DataSheet4U.com CTRL2 RCTRL2 RCTRL3 CIN IN+ 33 nF CIN IN- 33 nF CS 1µF VDD 前置放大数字 PWM 调制器 EMI抑制＋输出驱动 OUT+ OUT- CCTRL 0.1 µ F CR 1µF CTRL VREF ACF 数字控制关断控制载波发生器 HT6845 OCP OTP UVLO AGND PGND 版权所有©2010, -1- 03/2010 - V0.1 1 page 典型特性曲线 THD+N vs. Output Power 100 VDD =5V RL =4Ω f =1kHz 10 ACF-Off HT6845 低 EMI 防削顶 D 类音频功率放大器 THD+N vs. Output Power 100 VDD =5V RL =8Ω f =1kHz 10 ACF-Off 11 0.1 0.01 0.1 1 Output Power (W) 10 0.1 0.01 0.1 1 Output Power (W) 10 THD+N vs. Output Power 100 VDD=3.6V RL =4Ω f =1kHz 10 ACF-Off THD+N vs. Output Power 100 VDD=3.6V RL =8Ω f =1kHz 10 ACF-Off 11 0.1 0.1 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10 Output Power (W) Output Power (W) THD+N vs. Frequency 10 VDD =5V RL =4Ω Po =1W 1 THD+N vs. Frequency 10 VDD =5V RL =8Ω Po =0.5W 1 www.DataShe0e.1t4U.com 0.1 0.01 0.01 版权所有©2010, 0.1 1 10 Frequency (kHz) 0.01 100 0.01 -5- 0.1 1 10 Frequency (kHz) 100 03/2010 - V0.1 5 Page 应用电路举例差分输入 CTRL1 CTRL2 RCTRL1 RCTRL2 RCTRL3 HT6845 低 EMI 防削顶 D 类音频功率放大器 CIN IN+ 33 nF CIN IN- 33 nF CS 1µF VDD 前置放大数字 PWM 调制器 EMI抑制＋输出驱动 OUT+ OUT- CCTRL 0.1 µ F CR 1µF CTRL VREF ACF 数字控制关断控制载波发生器 HT6845 OCP OTP UVLO AGND PGND 单端输入 CTRL1 CTRL2 RCTRL1 RCTRL2 RCTRL3 CIN IN+ 33 nF CIN IN- 33 nF CS 1µF VDD 前置放大数字 PWM 调制器 EMI抑制＋输出驱动 OUT+ OUT- CCTRL 0.1 µ F CR 1µF CTRL VREF ACF 数字控制关断控制载波发生器 HT6845 OCP OTP UVLO AGND PGND 元件说明 CIN：隔直电容，采用 0.1µF或更小的（如 33nF），±10%的CIN来进一步消除咔嗒-噼噗声和从输入端耦合进入的 217Hz噪声。正负端两个CIN之间需具有良好的匹配性。 CS ：电源去耦电容，采用足够低ESR（等效串联电阻）的电容（不小于 1µF）。当RL=4Ω或VDD≥4.5V时， www为.D更ata好Sh的ee滤t4U除.c低om频噪声，建议另加一个低ESR电容（不小于 10µF）。去耦电容离VDD管脚越近越好，保持 3mm 之内。 CR ：VREF端口输出VDD/2 电压，通过电容CR（1µF）接地以保证稳定性。版权所有©2010, -11- 03/2010 - V0.1 11 Page

Páginas	Total 12 Páginas
PDF Descargar	[ Datasheet HT6845.PDF ]

Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
HT6845	3.4W EMI	ETC
HT684L	318 Series of Decoders	Holtek Semiconductor Inc

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.

DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar