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PDF RSX1001T3 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | RSX1001T3 | |
| Descripción | Shottky barrier diode | |
| Fabricantes | ROHM Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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Schottky barrier diode
RSX1001T3
Applications
Switching power supply
Dimensions (Unit : mm)
Features
1) Cathode common type.
(TO-220)
2) Low IR
3) High reliability
Construction
Silicon epitaxial planer
www.DataSheet4U.com
Structure
(1) (2) (3)
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current (*1)
VRM 30
VR 30
Io 10
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc) (*1)
Junction temperature
IFSM
Tj
150
150
Storage temperature
Tstg -40 to +150
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=132C
Electrical characteristic (Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Reverse recovery time
Symbol Min. Typ. Max.
VF - - 0.45
IR - - 500
jc - - 2.5
Unit
V
V
A
A
C
C
Unit
V
A
C/W
Conditions
IF=5A
VR=30
junction to case
www.rohm.com
©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/3
2010.02 - Rev.B
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| RSX1001T3 | Shottky barrier diode | ROHM Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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