(PDF) SII100N12 Datasheet - NPT IGBT Modules

Número de pieza	SII100N12
Descripción	NPT IGBT Modules
Fabricantes	Sirectifier Semiconductors
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No Preview Available ! SII100N12 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") www.DataSheet4U.com Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions VCES IC ICRM VGES Ptot TVj,(Tstg) TC= 25(80)oC TC= 25(80)oC, tP =1ms TOPERATION <_ Tstg Visol RthJC RthJCD AC, 1min TC = 25oC, unless otherwise specified Values 1200 145(100) 290(200) +_20 700 _ 40...+125(150) 2500 <_ 0.18 <_ 0.36 Units V A A V W oC V K/W SirectifierR 1 page SII100N12 NPT IGBT Modules Typ. gate charge VGE = ƒ(QGate) parameter: IC puls = 100 A 20 V VGE 16 14 600 V 800 V 12 www.DataSheet4U.co10m 8 6 4 2 0 0 100 200 300 400 500 nC 700 QGate R evers e bias ed s afe operating area IC puls = f(VC E ) , Tj = 150°C parameter: VGE = 15 V T yp. c apac itanc es C = f (VCE ) parameter: VG E = 0 V , f = 1 MHz 10 2 nF C 10 1 C is s 10 0 C os s C rss 10 -1 0 5 10 15 20 25 30 V 40 VCE S hort c irc uit s afe operating area IC sc = f(VC E ) , Tj = 150°C parameter: VGE = ± 15 V , tS C ≤ 10 µs , L < 50 nH 2.5 12 IC puls/IC 1.5 1.0 0.5 IC sc/IC 8 6 4 2 0.0 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 VCE 0 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 VCE SirectifierR 5 Page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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