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PDF LRS1B07 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | LRS1B07 | |
| Descripción | 128M ( X16) Dual Work Boot Block Flash & 64M ( X16) Scram & 8M ( X16) SRAM | |
| Fabricantes | Sharp Microelectronics | |
| Logotipo |  |
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PRELIMINARY PRODUCT SPECIFICATIONS
®
Integrated Circuits Group
LRS1B07
Stacked Chip
DataShee
128M (x16) Flash and 64MDa(txaS1he6et4)U.ScoCm RAM and 8M (×16) SRAM
(Model No.: LRS1B07)
DataSheet4U.com
DataSheet4 U .com
Spec No.: MFM2-J14109B
Issue Date: October 18, 2002
DataSheet4U.com
1 page  
www.DataSheet4U.com
sharp
LRS1B07
2
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8. Smartcombo RAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
8.1 Truth Table . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
8.1.1 Bus Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
8.2 DC Electrical Characteristics for Smartcombo RAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
8.3 AC Electrical Characteristic for Smartcombo RAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
8.3.1 AC Test Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
8.3.2 Read Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
8.3.3 Write Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
8.3.4 Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
8.3.5 Sleep Mode Entry / Exit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
8.4 Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
8.5 Page Read Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
8.5.1 Features of Page Read Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
8.6 Mode Register Settings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
8.6.1 Mode Register Setting Method . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
8.6.2 Cautions for Setting Mode Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
8.7 Smartcombo RAM AC Characteristics Timing Chart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
9. SRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
9.1 Truth Table . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
9.1.1 Bus Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
9.2 DC Electrical Characteristics for SRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
9.3 AC Electrical Characteristics for SRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
9.3.1 AC Test Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
9.3.2 Read Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
9.3.3 Write Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . D. .a.t.a.S. h. .e.e.t4. .U. ..c.o.m. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
9.4 SRAM AC Characteristics Timing Chart. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
9.5 Data Retention Characteristics for SRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
10. Notes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
11. Flash Memory Data Protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
12. Design Considerations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
13. Related Document Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
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sharp
LRS1B07
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6. Flash Memory 1
6.1 Truth Table
6.1.1 Bus Operation (1)
Flash
Notes
F1-CE
RST
F-OE
F-WE
DQ0 to DQ15
Read
Output Disable
Write
3,5 L (7)
H
5 LH
High - Z
H
2,3,4,5
L DIN
Standby
Reset Power Down
5 HH
X X High - Z
5,6 X
L
Notes:
1. L = VIL, H = VIH, X = H or L, High-Z = High impedance. Refer to the DC Characteristics.
2. Command writes involving block erase, full chip erase, (page buffer) program are reliably executed when VPP = VPPH
and VCC = 2.7V to 3.1V.
Block erase, full chip erase, (page buffer) program with VPP < VPPH (Min.) produce spurious results and should not be
attempted.
3. Never hold F-OE low and F-WE low at the same timing.
4. Refer to Section 6.2 Command Definitions for Flash Memory valid DIN during a write operation.
5. WP set to VIL or VIH.
6. Electricity consumption of Flash Memory is lowest when RST = GND ±0.2V.
7. Flash Read Mode
DataSheet4U.com
Mode
Address
DQ0 to DQ15
Read Array
Read Identifier Codes
X
See 6.2.2
DOUT
See 6.2.2
Read Query
Refer to the Appendix Refer to the Appendix
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| LRS1B06 | 128M ( X16) Boot Block Flash & 32M ( X16) Scram & 8M ( X16) SRAM | Sharp Microelectronics |
| LRS1B07 | 128M ( X16) Dual Work Boot Block Flash & 64M ( X16) Scram & 8M ( X16) SRAM | Sharp Microelectronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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