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PDF BSM50GP60 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BSM50GP60 | |
| Descripción | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values | |
| Fabricantes | eupec GmbH | |
| Logotipo |  |
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GP60
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip
Dauergleichstrom
DC forward current
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t - value
TC = 80°C
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Tc = 80 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms,
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
T C = 80 °C
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I2t - value
Tc = 80 °C
tP = 1 ms
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC = 80 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms, TC = 80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Tc = 80 °C
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
prepared by: Andreas Schulz
www.DataSheet4U.com
approved by: M.Hierholzer
date of publication:17.09.1999
revision: 4
VRRM
IFRMSM
Id
IFSM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
1600
40
50
315
260
500
340
600
50
70
100
250
+/- 20V
50
100
760
600
25
35
50
130
+/- 20V
12,5
25
V
A
A
A
A
A2s
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
1(11)
DB-PIM-9.xls
1 page  
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GP60
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
Output characteristic Inverter (typical)
CI = f (VCE)
VGE = 15 V
100
90
80
Tj = 25°C
70 Tj = 125°C
60
50
40
30
20
10
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
Output characteristic Inverter (typical)
CI = f (VCE)
Tvj = 125°C
100
90 VGE = 20V
80 VGE = 15V
VGE = 12V
70 VGE = 10V
VGE = 9V
60
50
40
30
20
10
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
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VCE [V]
5(11)
DB-PIM-9.xls
5 Page 
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GP60
Schaltplan/ Circuit diagram
21 22
1 23
14
23 24
20
7 19
13
Gehäuseabmessungen/ Package outlines
18
4 17
12
16
5 15
11
89
NTC
6
10
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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11(11)
DB-PIM-9.xls
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BSM50GP60 | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values | eupec GmbH |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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