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PDF SPD35N10 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SPD35N10 | |
| Descripción | SIPMOS Power-Transistor | |
| Fabricantes | Infineon Technologies | |
| Logotipo |  |
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Preliminary data
SIPMOS Power-Transistor
Feature
N-Channel
Enhancement mode
175°C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
SPD35N10
Product Summary
VDS 100 V
RDS(on) 44 m
ID 35 A
P-TO252
Type
SPD35N10
Package
P-TO252
Ordering Code Marking
Q67042-S4125 35N10
Maximum Ratings,at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
ID
TC=25°C
TC=100°C
Pulsed drain current
ID puls
TC=25°C
Avalanche energy, single pulse
ID=35 A , VDD=25V, RGS=25
EAS
Reverse diode dv/dt
dv/dt
IS=35A, VDS=80V, di/dt=200A/µs, Tjmax =175°C
Gate source voltage
VGS
Power dissipation
TC=25°C
Ptot
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Tj , Tstg
Value
35
26.4
140
245
6
±20
150
-55... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
Page 1
2002-01-30
1 page  
Preliminary data
SPD35N10
5 Typ. output characteristic
ID = f (VDS); Tj=25°C
parameter: tp = 80 µs
90 e d
A
70
60
50
c
VGS[V]=
a= 5
b= 6
c= 8
d= 10
e= 12
6 Typ. drain-source on resistance
RDS(on) = f (ID)
parameter: VGS
500 a
m
300
b
VGS[V]=
a= 5
b= 6
c= 8
d= 10
e= 12
40
200
30 b
c
20
10 a
0
0 1 2 3 4 5 6V 8
VDS
100
d
e
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 A 100
ID
7 Typ. transfer characteristics
ID= f ( VGS ); VDS 2 x ID x RDS(on)max
parameter: tp = 80 µs
60
8 Typ. forward transconductance
gfs = f(ID); Tj=25°C
parameter: gfs
24
S
A
20
18
40 16
14
30 12
10
20 8
6
10 4
2
0
2 3 4 5V 7
VGS
0
0 5 10 15 20 25 A 35
ID
Page 5
2002-01-30
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SPD35N10 | SIPMOS Power-Transistor | Infineon Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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