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PDF SFH464E7800 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SFH464E7800 | |
| Descripción | GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor Group | |
| Logotipo |  |
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GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
SFH 464
ø0.45
2.7
Chip position
1
14.5 3.6
12.5 3.0
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
ø5.5
ø5.2
GET06625
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-
Anteil
q Kathode galvanisch mit dem
Gehäuseboden verbunden
q Sehr hoher Wirkungsgrad
q Hohe Zuverlässigkeit
q Kurze Schaltzeiten
q Gehäusegleich mit BP 103, LD 242
q Anwendungsklassen nach DIN 40040 GQG
q Lochblendenvermessenes Bauteil
(E 7800)
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz
q LWL
Features
q Radiation without IR in the visible red range
q Cathode is electrically connected to the case
q Very high efficiency
q High reliability
q Short switching time
q Same package as BP 103, LD 242
q DIN humidity category in acc. with DIN
40040 GQG
q Component subjected to aperture
measurement (E 7800)
Applications
q Photointerrupters
q Fiber optic transmission
Typ
Type
SFH 464 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-Q1745
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden
18 A3 DIN 870 (TO -18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: projection at
package bottom
Semiconductor Group
1
1998-07-15
1 page  
SFH 464
Relative spectral emission
Irel = f (λ)
100
Ι rel %
80
OHR01869
60
40
20
Radiant intensity
Ie
Ie 50 mA
Single pulse, tp = 20 µs
10 2
A
Ιe
Ι e 50 mA
10 1
= f (IF)
OHR01870
10 0
10 -1
Max. permissible forward current
IF = f (TC), RthJC = 160 K/W
120
Ι F mA
100
OHR01462
80
60
40
20
0
600 650 700 nm 750
λ
Forward current
IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs
10 3
Ι F mA
OHR01871
10 2
10 1
10 -2
10 0 10 1 10 2 mA 10 3
ΙF
Permissible pulse handling capability
IF = f (τ), TA = 25 °C,
duty cycle D = parameter
10 4
mA
ΙF
D
=
tP
T
tP
T
OHR01872
ΙF
10 3
0.1
0.2
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
10 2 0.5
DC
0
0
20 40 60
80 ˚C 100
TA
Max. permissible forward current
IF = f (TA), RthJA = 450 K/W
120
Ι F mA
100
OHR01461
80
60
40
20
10 0 0 2 4 6 8 V 10
VF
Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 1)
40 30 20 10
ϕ
50
10 1
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1
s 10 1
tP
0 0 20 40 60
(Fuβnote siehe vorhergehende Seite/footnote see previous page)
0 OHR01457
1.0
0.8
80 ˚C 100
TA
60 0.6
70 0.4
80 0.2
90 0
100
1.0 0.8 0.6
0.4
0 20 40 60 80 100 120
Semiconductor Group
5
1998-07-15
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SFH464E7800 | GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm | Siemens Semiconductor Group |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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