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PDF NTE2540 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2540 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Darlington / High Voltage Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2540
Silicon NPN Transistor
Darlington, High Voltage Switch
Features:
D High DC Current Gain: hFE = 600 Min (VCE = 2V, IC = 2A)
D Monolithic Construction w/Built–In Base–Emitter Shunt Resistor
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Collector Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
Emitter Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A
Base Current. IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Collector Power Dissipation, PC
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector–Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Emitter–Collector Forward Voltage
Collector Output Capacitance
Turn–On Time
Storage Time
Fall Time
ICBO VCB = 600V, IE = 0
– – 0.5 mA
IEBO VEB = 5V, IC = 0
– – 3 mA
V(BR)CEO IC = 10mA, IB = 0
400 – – V
hFE VCE = 2V, IC = 2A
600 – –
VCE = 2V, IC = 4A
100 – –
VCE(sat) IC = 4A, IB = 40mA
– – 2.0 V
VBE(sat) IC = 4A, IB = 40mA
– – 2.5 V
VECF IE = 4A, IB = 0
– – 3.0 V
Cob VCB = 50V, IE = 0, f = 1MHz – 35 – pF
ton VCC = 100V,
tstg
IB1 = –IB2 = 40mA,
Duty Cycle ≤ 1%
tf
– 1 – µs
– 8 – µs
– 5 – µs
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE254 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2540 | Silicon NPN Transistor Darlington / High Voltage Switch | NTE |
| NTE2541 | Silicon Complementary Transistors Darlington / Motor/Relay Driver | NTE |
| NTE2542 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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