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PDF ASI10618 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza ASI10618
Descripción NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
Fabricantes Advanced Semiconductor　
Logotipo Advanced Semiconductor Logotipo



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MLN1027F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI MLN1027F is Designed for
FEATURES:
•
•
• Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC 300 mA
VCE 20 V
PDISS
TJ
TSTG
θJC
--- W
-65 OC to +200 OC
-65 OC to +200 OC
25 OC/W
PACKAGE STYLE .250 2L FLG
A
C
B
E
ØD
.060 x 45°
CHAMFER
G
L
HF
I
J
K
MNP
DIM
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
A .028 / 0.71
.032 / 0.81
B .740 / 18.80
C .245 / 6.22
.255 / 6.48
D .128 / 3.25
.132 / 3.35
E .125 / 3.18
F .110 / 2.79
.117 / 2.97
G .117 / 2.97
H .560 / 14.22
.570 / 14.48
I .790 / 20.07
.810 / 20.57
J .225 / 5.72
.235 / 5.97
K .165 / 4.19
.185 / 4.70
L .003 / 0.08
.007 / 0.18
M .058 / 1.47
.068 / 1.73
N .119 / 3.02
.135 / 3.43
P .149 / 3.78
.187 / 4.75
ORDER CODE: ASI10618
CHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
BVCBO
IC = 1 mA
BVCEO
IC = 5 mA
BVEBO
IE = 1 mA
ICEO
VCE = 18 V
hFE
VCE = 5.0 V
IC = 100 mA
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
50
20
3.5
0.5
15 120
UNITS
V
V
V
mA
---
COB VCB = 28 V
f = 1.0 MHz
3.5 pF
PG
VCE = 20 V
POUT = 0.5 W
ICQ = 100mA
f = 1.0 GHz
12
dB
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
ASI10610NPN SILICON RF POWER TRANSISTORAdvanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
ASI10612NPN SILICON RF POWER TRANSISTORAdvanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
ASI10613NPN SILICON RF POWER TRANSISTORAdvanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
ASI10614NPN SILICON RF POWER TRANSISTORAdvanced Semiconductor
Advanced Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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