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PDF BSS119 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BSS119 | |
| Descripción | SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode) | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor Group | |
| Logotipo |  |
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BSS 119
SIPMOS ® Small-Signal Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• VGS(th) = 1.6 ...2.6 V
Pin 1
G
Pin 2
S
Pin 3
D
Type
BSS 119
Type
BSS 119
VDS
100 V
ID
0.17 A
Ordering Code
Q67000-S007
RDS(on)
6Ω
Package
SOT-23
Tape and Reel Information
E6327
Marking
sSH
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
RGS = 20 kΩ
Gate source voltage
Gate-source peak voltage,aperiodic
Continuous drain current
TA = 28 °C
DC drain current, pulsed
TA = 25 °C
Power dissipation
TA = 25 °C
Symbol
VDS
VDGR
VGS
Vgs
ID
IDpuls
Ptot
Values
100
100
± 14
± 20
0.17
0.68
0.36
Unit
V
A
W
Semiconductor Group
1
Sep-13-1996
1 page  
BSS 119
Power dissipation
Ptot = ƒ(TA)
0.40
W
Ptot 0.32
0.28
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0.00
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
TA
Safe operating area ID=f(VDS)
parameter : D = 0.01, TC=25°C
Drain current
ID = ƒ(TA)
parameter: VGS ≥ 10 V
0.18
A
ID 0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
TA
Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = ƒ(Tj)
Semiconductor Group
120
V
116
V 114
(BR)DSS
112
110
108
106
104
102
100
98
96
94
92
90
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
5 Sep-13-1996
5 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet BSS119.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BSS110 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |  Fairchild Semiconductor |
| BSS110 | SIPMOS Small-Signal Transistor |  Siemens Semiconductor |
| BSS110 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |  NXP Semiconductors |
| BSS119 | SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode) | Siemens Semiconductor Group |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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