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Número de pieza | CS18P06D | |
Descripción | P-CHANNEL MOSFET | |
Fabricantes | BLUE ROCKET ELECTRONICS | |
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No Preview Available ! BRD18P06(CS18P06D)
P-CHANNEL MOSFET/P 沟道 MOS 晶体管
用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 具有低导通电阻的超高密度设计,坚固可靠,表面贴装封装,ESD 保护。
Features: Super high dense cell design for low R ,DS(on) Rugged and reliable,surface
mount package,ESD protected.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
VDS
ID(Tc=25℃)
ID(Tc=70℃)
IDM
VGS
EAS
PD(Tc=25℃)
PD(Tc=70℃)
TJ,TSTG
-60
-18
-14.5
-50
±20
36
42
27
-55 to 150
V
A
A
A
V
mJ
W
W
℃
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数符号
测试条件
Symbol
Test Conditions
BVDSS
VGS=0V
ID=-250μA
IDSS
VDS=-48V
VGS=0V
IGSS
VGS=±20V
VDS=0V
VGS(th)
VDS=VGS
ID=-250μA
RDS(on)
VGS=-10V
VGS=-4.5V
ID=-8A
ID=-7A
gFS
VDS=-10V
ID=-8A
VSD
VGS=0V
IS=-2A
Ciss
Coss VDS=-25V VGS=0V f=1.0MHz
Crss
td(on)
tr
td(off)
VDD=-30V
VGS=-10V
ID=-1.0A
RGEN=6 Ω
tf
最小值
Min
-60
-1.0
典型值
Typ
-2.0
59
77
18
-0.81
1040
80
60
24
17.5
105
21
最大值
Max
-1.0
±10
-3.0
77
104
-1.3
单位
Unit
V
μA
μA
V
mΩ
mΩ
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
佛山市蓝箭电子股份有限公司
FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
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PDF Descargar | [ Datasheet CS18P06D.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
CS18P06D | P-CHANNEL MOSFET | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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