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PDF MMBT5089 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | MMBT5089 | |
| Descripción | Silicon Epitaxial Planar Transistor | |
| Fabricantes | Galaxy Microelectronics | |
| Logotipo |  |
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Production specification
Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
z Excellent HFE Linearity.
z Power dissipation.(PC=0.2W).
Pb
Lead-free
MMBT5088/5089
APPLICATIONS
z This device is designed for low noise,high gain,general
purpose amplifier applications at collector currents from
1μA to 50mA.
ORDERING INFORMATION
Type No.
Marking
MMBT5088
MMBT5089
1Q
1R
SOT-23
Package Code
SOT-23
SOT-23
MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VCBO
Collector-Base Voltage
MMBT5088 35
MMBT5089 30
VCEO
Collector-Emitter Voltage
MMBT5088 30
MMBT5089 25
VEBO
IC
PC
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Dissipation
4.5
100
350
RθJA
Tj,Tstg
Thermal Resistance,Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
357
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
mW
℃/W
℃
C158
Rev.A
www.gmicroelec.com
1
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| MMBT5086 | PNP (LOW NOISE TRANSISTOR) |  Samsung |
| MMBT5086 | PNP General Purpose Amplifier |  Fairchild |
| MMBT5087 | PNP (LOW NOISE TRANSISTOR) | Samsung |
| MMBT5087 | PNP General Purpose Amplifier | Fairchild |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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