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PDF SIF9N50E Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SIF9N50E | |
| Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET | |
| Fabricantes | SI Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
产品规格书
Product Specification
SIF9N50E
●特点：导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
●FEATURES：■LOW ON-RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE
■RoHS COMPLIANT
●应用：电子镇流器 电子变压器 开关电源
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值（Tc=25°C）
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C）
TO-251T/251S/252
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
单位
UNIT
漏-源电压
Drain-source Voltage
-源电压
gate-source Voltage
漏极电流
VDS
VGS
500
±30
V
V
Continuous Drain Current
TC=25℃
漏极电流
ID
9A
Continuous Drain Current
TC=100℃
ID
5.1 A
最大脉冲电流
Drain Current －Pulsed ①
IDM
32 A
VDS=500V
RDS(ON)=0.85Ω
ID=9.0A
耗散功率
Power Dissipation
最高结温
Junction Temperature
存储温度
Storage Temperature
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy
②
Ptot
Tj
TSTG
EAS
40
150
-55-150
510
W
°C
°C
mJ
●电特性（Tc=25°C）
●Electronic Characteristics（Tc=25°C）
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
测试条件
TEST CONDITION
最小值
MIN
典型值
TYP
最大值 单位
MAX UNIT
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
击穿电压温度系数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
BVDSS
ΔBVDSS/
ΔTj
VGS(TH)
VGS=0V, ID=250µA
ID=1mA, Referenced to
25°C
VGS=VDS, ID=250µA
500
2.0
0.78
V
V/°C
4.0 V
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
跨导
Forward Transconductance
IDSS
gfs
VDS =500V,
VGS =0V, Tj=25°C
VDS =400V,
VGS =0V, Tj=125°C
VDS =10V, ID=4.0A
③
4.0
25 µA
250 µA
S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
TO-252 或 251S 或 251T 条管装 TUBE PACKING
TO-252 编带装/TAPE & REEL PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料
Normal Package Material
SIF9N50E TO-251T-TU 或
TO-251S-TU 或 TO-252-TU
无卤塑封料
Halogen Free
SIF9N50E TO-251T-TU-HF 或
TO-251S-TU-HF 或 TO-252-TU-HF
SIF9N50E TO-252-TR
SIF9N50E TO-252-TR-HF
Si semiconductors 2016.04
1
1 page  
深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号/SYMBOL
A
b
C
D
D1
E
e
L
L1
L2
TO-251S 封装机械尺寸
TO-251S (IPAK) MECHANICAL DATA
单位:毫米/UNIT：mm
最小值/min
典型值/nom
最大值/max
2.20
2.40
0.60
0.85
0.45
0.50
0.60
6.50
6.70
5.10
5.50
5.9 6.20
2.18
2.29
2.38
11.00
12.40
4.8 5.3
3.5 4.2
Si semiconductors 2016.04
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SIF9N50E | N-CHANNEL POWER MOSFET | SI Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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