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PDF PZP003BYB Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | PZP003BYB | |
| Descripción | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
| Fabricantes | UNIKC | |
| Logotipo |  |
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PZP003BYB
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 6Ω @VGS = 4V
ID
110mA
SOT-523
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current1
Pulsed Drain Current2
TA = 25 °C
TA = 100 °C
ID
IDM
110
70
400
Avalanche Current
IAS 300
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
0.5
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 100 °C
PD
150
60
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
mA
mJ
mW
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
1Limited by maximum junction temperature.
2Limited by package.
SYMBOL
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM UNITS
833 °C / W
Ver 1.0
1 2012/4/12
1 page  
PZP003BYB
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.0
5 2012/4/12
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| PZP003BYB | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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