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Número de pieza | BSC160N10NS3G | |
Descripción | Power MOSFET ( Transistor ) | |
Fabricantes | Infineon | |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor
• Optimized for dc-dc conversion
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• 150 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target application
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSC160N10NS3 G
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
100 V
16 mW
42 A
PG-TDSON-8
Type
BSC160N10NS3 G
Package
PG-TDSON-8
Marking
160N10NS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D T C=25 °C
T C=100 °C
T A=25 °C,
R thJA=50 K/W2)
Pulsed drain current3)
I D,pulse T C=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=33 A, R GS=25 W
Gate source voltage
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Value
42
27
8.8
168
50
±20
60
-55 ... 150
55/150/56
Unit
A
mJ
V
W
°C
Rev. 2.4
page 1
2009-10-30
1 page 5 Typ. output characteristics
I D=f(V DS); T j=25 °C
parameter: V GS
120
10 V
100
7V
80
6V
60
5.5 V
40
5V
20
4.5 V
0
012
VDS [V]
7 Typ. transfer characteristics
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max
parameter: T j
80
BSC160N10NS3 G
6 Typ. drain-source on resistance
R DS(on)=f(I D); T j=25 °C
parameter: V GS
30
4.5 V
25 5 V
5.5 V
6V
20
7V
15 10 V
10
5
0
3 0 20 40 60 80 100
ID [A]
8 Typ. forward transconductance
g fs=f(I D); T j=25 °C
80
60 60
40 40
20 20
150 °C
25 °C
0
01234567
VGS [V]
0
0
Rev. 2.4
page 5
20 40 60 80 100
ID [A]
2009-10-30
5 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet BSC160N10NS3G.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
BSC160N10NS3G | Power MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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