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PDF STN4130 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | STN4130 | |
| Descripción | N Channel Enhancement Mode MOSFET | |
| Fabricantes | Stanson Technology | |
| Logotipo |  |
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STN4130
N Channel Enhancement Mode MOSFET
20.0A
DESCRIPTION
STN4130 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge.
Those devices are ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer,
telecom, industrial power supplies and LED backlighting.
PIN CONFIGURATION (D-PAK)
TO-252
TO-251
FEATURE
60V/20.0A, RDS(ON) = 40mΩ (Typ.)
@VGS = 10V
60V/20.0A, RDS(ON) = 50mΩ
@VGS = 4.5V
Super high density cell design for
extremely low RDS(ON)
Exceptional on-resistance and
maximum DC current capability
TO-252,TO-251 package design
PART MARKING
Y: Year Code A: Date Code Q:Process Code
STANSON TECHNOLOGY
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA
www.stansontech.com
Copyright © 2009, Stanson Corp.
STN4130 2009. V1
1 page  
TYPICAL CHARACTERICTICS
STN4130
N Channel Enhancement Mode MOSFET
20.0A
STANSON TECHNOLOGY
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA
www.stansontech.com
Copyright © 2009, Stanson Corp.
STN4130 2009. V1
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| STN4130 | N Channel Enhancement Mode MOSFET | Stanson Technology |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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