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PDF BUW52 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BUW52 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUW52
DESCRIPTION
·High Current Capability
·Fast Switching Speed
·Low Saturation Voltage and High Gain
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose power amplifier
applications.
Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VCEV
Collector-Emitter Voltage
(VBE= -1.5V)
VCEO Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
ICM Collector Current-Peak
IB Base Current-Continuous
IBM Base Current-peak
Collector Power Dissipation
PC @TC=25℃
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
VALUE UNIT
350 V
250 V
7V
20 A
30 A
4A
6A
150 W
175 ℃
-65~175 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 1.0 ℃/W
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BUW50 | POWER TRANSISTORS(25A/125V/150W) |  Mospec Semiconductor |
| BUW51 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| BUW51 | NPN MULTI-EPITAXIAL POWER TRANSISTOR |  Seme LAB |
| BUW52 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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