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PDF MMBR901L Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | MMBR901L | |
| Descripción | Silicon NPN RF Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN RF Transistor
isc RF Product Specification
MMBR901L
DESCRIPTION
·Low Noise
·High Power Gain-
Gpe = 12.0 dB TYP. @ f = 1 GHz
APPLICATIONS
·Designed for use in high gain ,low noise , small signal
amplifiers for operation up to 2.5GHz.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
25 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
15 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC= 75℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
2V
30 mA
0.3 W
150 ℃
-55~150
℃
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| MMBR901 | NPN Silicon High-Frequency Transistor |  Lunsure Electronic |
| MMBR901 | RF AMPLIFIER TRANSISTOR |  Motorola Semiconductors |
| MMBR901L | Silicon NPN RF Transistor | Inchange Semiconductor |
| MMBR901L | Trans GP BJT NPN 15V 0.03A 3-Pin SOT-23 |  New Jersey Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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