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Datasheet TIM5359-4 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 2 | TIM5359-4 | POWER GAAS FET |
 Toshiba Semiconductor |
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| 1 | TIM5359-45SL | MICROWAVE SEMICONDUCTOR MICROWAVE POWER GaAs FET MICROWAVE SEMICONDUCTOR
TIM5359-45SL
TECHNICAL DATA FEATURES
LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3=-45 dBc at Pout= 35.5dBm Single Carrier Level HIGH POWER P1dB=46.5dBm at 5.3GHz to 5.9GHz HIGH GAIN G1dB=9.0dB at 5.3GHz to 5.9GHz BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET |
Toshiba Semiconductor |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
 Sanken |
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