Datasheet STB130N6F7 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	STB130N6F7	N-channel Power MOSFET STB130N6F7 N-channel 60 V, 4.2 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a D²PAK package Datasheet - production data TAB 3 1 D2PAK Figure 1: Internal schematic diagram D(2, TAB) G(1) Features Order code STB130N6F7 VDS 60 V RDS(on) max. 5.0 mΩ ID 80 A PTOT 160 W  Among the lowest RD	STMicroelectronics

STB130N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
STB130NS04ZB-1	N-channel Power MOSFET STP130NS04ZB - STB130NS04ZB-1 STB130NS04ZB - STW130NS04ZB N-channel clamped - 7 mΩ - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay™ MOSFET General features Type STP130NS04ZB STB130NS04ZB STW130NS04ZB STB130NS04ZB ■ ■ ■ VDSS clamped clampe	ST Microelectronics
STB130NH02L	N-channel Power MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0034 Ω - 120A D²PAK/TO-220 STripFET™ III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION Table 1: General Features TYPE STB130NH02L STP130NH02L ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ STB130NH02L STP130NH02L Figure 1:Package RDS(on) < 0.0044 Ω < 0.0044 Ω I	ST Microelectronics
STB130NS04ZB	N-channel Power MOSFET STP130NS04ZB STB130NS04ZB - STW130NS04ZB N-CHANNEL CLAMPED - 7 mΩ - 80A TO-220/D²PAK/TO-247 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY™ MOSFET Table 1: General Features TYPE STP130NS04ZB STB130NS04ZB STW130NS04ZB s s s s Figure 1: Package RDS(on) < 9 mΩ < 9 mΩ <	ST Microelectronics

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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