Datasheet JCS9N50T Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	JCS9N50T	N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS9N50T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 9 A VDSS 500 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75 Ω Qg 29 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electro	JILIN SINO-MICROELECTRONICS

JCS9N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
JCS9N50F	N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS9N50F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 用途  高频开关电源  电子镇流器  UPS 电源 8A 500 V 0.8 Ω 59 nC APPLICATIONS  High efficiency sw	JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JCS9N50FC	N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS9N50C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 用途  高频开关电源  电子镇流器  UPS 电源 9A 500 V 0.75 Ω 29 nC APPLICATIONS  High frequency sw	JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JCS9N90FT	N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS9N90FT 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 9 A VDSS 900 V Rdson（@Vgs=10V） 1.35 Ω Qg 43 nC 用途  高频开关电源  电子镇流器  LED 电源 APPLICATIONS  High efficiency switch	JILIN SINO-MICROELECTRONICS

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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