Datasheet JCS1N60 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	JCS1N60	N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS1N60 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 1.3 A VDSS 600 V Rdson（Vgs=10V） 8.5 Ω Qg 9.1 nC 封装 Package 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electroni	JILIN SINO-MICROELECTRONICS

JCS1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
JCS13N50FT	N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg 13 A 500 V 0.46Ω 37 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z	JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JCS1404C	N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS1404 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 204 A VDSS 40 V Rdson（@Vgs=10V） 4 mΩ 用途 z 高频开关电源 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z UPS 产品�	JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JCS19N20	N-CHANNEL MOSFET R JCS19N20 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg 18.0A 200 V 0.18Ω 47nC 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途  高频开关电源  电子镇流器  UPS 电源 APPLICATIONS  High efficiency switch	JILIN SINO-MICROELECTRONICS

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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