Datasheet IXFK90N20Q Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IXFK90N20Q	HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS Advanced Technical Information HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trr Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL Md Weight 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s Mounting torque TO-264 PLU	IXYS Corporation

IXFK90N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IXFK90N60X	Power MOSFET ( Transistor ) X-Class HiPerFETTM Power MOSFET Preliminary Technical Information IXFK90N60X IXFX90N60X VDSS = ID25 = RDS(on)  600V 90A 38m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264P (IXFK) Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS PD dv/dt TJ TJM Tstg	IXYS
IXFK90N30	HiPerFET Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs Single MOSFET Die IXFX 90N30 IXFK 90N30 VDSS ID25 RDS(on) = 300 V = 90 A = 33 mΩ trr ≤ 250 ns Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID104 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL Md Weight Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS =	IXYS Corporation
IXFK90N20	HiPerFET Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Symbol Test Conditions VDSS IXFK 90 N 20 IXFN 100 N 20 IXFN 106 N 20 ID25 RDS(on) 23 mW 23 mW 20 mW 200 V 90 A 200 V 100 A 200 V 106 A trr £ 200 ns TO-264 AA TO-264	IXYS Corporation

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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