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Datasheet IXFH22N55 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IXFH22N55 | HiPerFET Power MOSFET HiPerFETTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avlanche Rated, High dv/dt, Low trr
Preliminary data
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR dv/dt PD TJ TJM Tstg TL Md Weight 1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s Mounting torque Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 |
IXYS |
IXFH22 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IXFH22N65X2 | Power MOSFET ( Transistor ) |
IXYS |
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IXFH22N60P3 | Power MOSFET ( Transistor ) |
IXYS Corporation |
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IXFH22N50P | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
IXYS |
Esta página es del resultado de búsqueda del IXFH22N55. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXFH22N55 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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