Datasheet FDA2712 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FDA2712	N-Channel UltraFET Trench MOSFET FDA2712 N-Channel UltraFET Trench MOSFET April 2007 FDA2712 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34mΩ Features • • • • • • RDS(on) = 29.2mΩ @VGS = 10 V, ID = 40A Fast switching speed Low gate charge High performance trench technology for extremely low RDS(on) High power and cu	Fairchild Semiconductor

FDA2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FDA24N50	N-Channel MOSFET FDA24N50 N-Channel MOSFET FDA24N50 N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.19Ω Features • RDS(on) = 0.16Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A • Low gate charge ( Typ. 65nC) • Low Crss ( Typ. 35pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS complia	Fairchild Semiconductor
FDA28N50	N-Channel MOSFET FDA28N50 N-Channel MOSFET August 2008 FDA28N50 N-Channel MOSFET 500V, 28A, 0.155Ω Features • RDS(on) = 0.122Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A • Low gate charge ( Typ. 80nC) • Low Crss ( Typ. 42pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability	Fairchild Semiconductor
FDA24N50F	N-Channel MOSFET FDA24N50F N-Channel MOSFET November 2008 FDA24N50F N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.2Ω Features • RDS(on) = 0.166Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A • Low Gate Charge ( Typ. 65nC) • Low Crss ( Typ. 32pF) • Fast Switching • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capabili	Fairchild Semiconductor

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nuevas actualizaciones

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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