Datasheet 2SK3731 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	2SK3731	Power Device - Power MOS Fets Power MOSFETs 2SK3731 N-channel enhancement mode MOSFET ■ Features • Low on-resistance, low Qg • High avalanche resistance (1.4) Unit: mm 10.5±0.3 4.6±0.2 1.4±0.1 0.6±0.1 3.0±0.5 0 to 0.5 • For PDP • For high-speed switching 1.4±0.1 0.8±0.1 2.54±0.3 2.5±0.2 0 to 0.3 ■ Ab	Panasonic

2SK3 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
2SK30A	Silicon N-Cahannel FET Silicon Junction FETs XIAOSHENG Symbol: Drain LH03 Series of Products interconvert: 2SK30A Gate Source Silicon N-Chinnel Junction FET Application: For charge sensor, meter amplifier circuit, rheostat , chopper and gain controller for AGC ，electronic	Xiaosheng
2SK34	Transistor	ETC
2SK3102-01R	MOSFET / Power MOSFETs w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w w .D t a S a e h t e U 4 .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c	Fuji Semiconductors

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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