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IRLMS1902 Buy Now and Stock Informations |
IRLMS1902 Electronic Components |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
1 | IRLMS1902 | HEXFET Power MOSFET International Rectifier mosfet | |
Electronic components |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
1 | IRLMS5703 | HEXFET Power MOSFET International Rectifier mosfet | | |
2 | IRLMS4502 | HEXFET Power MOSFET International Rectifier mosfet | | |
3 | IRLMS2002 | HEXFET Power MOSFET International Rectifier mosfet | | |
4 | IRLMS1902 | HEXFET Power MOSFET International Rectifier mosfet | |
Featured electronic components |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
1 | IRLMS1902 | HEXFET Power MOSFET PD - 91540C
IRLMS1902
HEXFET® Power MOSFET
l l l l
Generation V Technology Micro6 Package Style Ultra Low RDS(on) N-Channel MOSFET
D D G
1
6
A D D S
VDSS = 20V RDS(on) = 0.10Ω
2
5
3
4
D International Rectifier mosfet | |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
2SC1815 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups, O, Y, G and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA1015 is recommended. On special request |
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