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3AD53 PDF File ( Datasheet )
| 3AD53 Description |
| Silicon PNP Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistors
DESCRIPTION ·DC Current Gain-
: hFE=20-140@IC= -4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -1.0V(Max)@ IC= -4A
·
APPLICATIONS ·Designed for general-purpose switching and amplifier
applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-70 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-24 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-20 V
IC Collector Current-Continuous
PC
Collector Power
 Inchange Semiconductor |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
|---|---|---|---|
| PC817 | Optoacoplador de alta densidad Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor. |  Sharp |  |
| LM741 | amplificador operativo Estos son amplificadores operacionales de propósito general. Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas. |  Fairchild Semiconductor | |
| 2N2222 | Transistor de planificador de silicona NPN Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia. NPN Transistor for switching and AF amplifier applications. |  SEMTECH | |
| 2N3904 | transistor de conmutación NPN Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador. |  NXP | |
| DataSheet.es | 2020 | Contacto |