|
| 1NK60Z Description |
| STS1NK60Z
STS1NK60Z
N-CHANNEL 600V - 13Ω - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
TYPE STS1NK60Z VDSS 600 V RDS(on) < 15 Ω ID 0.25 A Pw 2W
TYPICAL RDS(on) = 13Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY ESD IMPROVED CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK GATE CHARGE MINIMIZED
SO-8
DESCRIPTION The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established stripbased PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly
STMicroelectronics |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
|---|---|---|---|
| PC817 | Optoacoplador de alta densidad Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor. | ![]() Sharp | ![]() |
| LM741 | amplificador operativo Estos son amplificadores operacionales de propósito general. Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas. | Fairchild Semiconductor | ![]() |
| 2N2222 | Transistor de planificador de silicona NPN Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia. NPN Transistor for switching and AF amplifier applications. | ![]() SEMTECH | ![]() |
| 2N3904 | transistor de conmutación NPN Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador. | NXP | ![]() |
| DataSheet.es | 2020 | Contacto |