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TC55257BFTI-10L Datasheet PDF

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Toshiba TC55257BFTI-10L
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28


PDF TC55257BFTI-10L Gate ( Hoja de datos )

P/N Descripción Fabr. PDF
TC55257BFTI-10L SILICON GATE CMOS STATIC RAM

TOSHIBA TC55257BPI, BFI, BSPI, BFTI, BTRI-IOL SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM Description The TC55257BPI is a 262,144 bit CMOS static random access memory organized as 32,768 words by 8 bits and operated from a single 5V power supply. Advanced circuit techniques provide both high speed and low power features with an operating current of 5mAlMH- fu:p.) and a minimum cycle time
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SILICON GATE CMOS STATIC RAM

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Electronic components

P/N Descripción Fabr. PDF
PC817Optoacoplador de alta densidad

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Sharp
Sharp
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LM741amplificador operativo

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Fairchild
Fairchild Semiconductor
datasheet LM741 pdf
2N2222Transistor de planificador de silicona NPN

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

SEMTECH
SEMTECH
datasheet 2N2222 pdf
2N3904transistor de conmutación NPN

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

NXP
NXP
datasheet 2N3904 pdf



Componentes electrónicos recomendados

P/NDescripciónFabr.PDF
TC54VN2902ECBVoltage Detector

• Low Current Drain: 1 μA, typical • Wide Detection Range: 1.1V to 6.0V • Wide Operating Voltage Range: 0.7V to 10V
Microchipdatasheet TC54VN2902ECB pdf
TC55V2001SRI-10L2M-Bit SRAM

Toshibadatasheet TC55V2001SRI-10L pdf
TC55V2001SRI-85L2M-Bit SRAM

Toshibadatasheet TC55V2001SRI-85L pdf
TC55V2001SRI-102M-Bit SRAM

Toshibadatasheet TC55V2001SRI-10 pdf


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nuevas actualizaciones

P/N Descripción Fabr. PDF
2SC1815

Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia.
El transistor se divide en cuatro grupos: O, Y, G y L, dependiendo de su ganancia de CC. Se recomienda el transistor PNP ST 2SA1015 como tipo adicional.

SEMTECH
Semtech
datasheet 2SC1815 pdf


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