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SW20N50U	MOSFET, Transistor SAMWIN SW20N50U N-channel TO-3P MOSFET Features - High ruggedness - RDS(ON) (Max 0.27Ω)@VGS=10V - Gate Charge (Typ 103 nC) - Improved dv, dt Capability - 100% Avalanche Tested TO-3P 12 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. This technology enable power MOSFET to have better characteristics, such as fast switch		mosfet

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MOSFET, Transistor

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SW20N60	N-channel Power MOSFET [ SAMWIN ]
SW20N50U	MOSFET, Transistor [ SEMIPOWER ]
SW20N60U	MOSFET, Transistor [ SEMIPOWER ]
SW20N65K	MOSFET, Transistor [ SEMIPOWER ]

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SW20N50	N-channel Power MOSFET SAMWIN SW20N50 N-channel Power MOSFET Features - High ruggedness MOSFET - RDS(ON) (Max 0.27Ω)@VGS=10V - Gate Charge (Max 80nC) - Improved dv, dt Capability - 100% Avalanche Tested TO-3P BVDSS :
SW20N50D	N-channel MOSFET SW20N50D Features Low gate charge 100% avalanche tested Improved dv, dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification N-channel MOSFET BVDSS 500V ID 20A RDS(on) < 0.3W Device SW20N50D Package T
SW20N50U	MOSFET, Transistor

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2SC1815	Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia. El transistor se divide en cuatro grupos: O, Y, G y L, dependiendo de su ganancia de CC. Se recomienda el transistor PNP ST 2SA1015 como tipo adicional.	Semtech	PDF

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